9 октября 2009 г. (г. Зеленоград) в НПК «ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР» МИЭТ при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям с участием Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН и ГОУ ВПО
«Московский государственный институт электронной техники (технический
университет)» состоялась международная конференция «Технологии микро- и наноэлектроники и микросистемной
техники».
В состав Программного комитета вошли:
Председатель программного комитета: Вернер В.Д. - д.ф.-м.н., профессор, председатель НТС НПК «Технологический центр» МИЭТ;
Гуляев Ю.В. - академик РАН, директор-организатор ИНМЭ РАН;
Косичкин О.А. — к.т.н., заместитель директора ИНМЭ РАН;
Кузнецов В.И.- д.т.н., директор науки и развития ASM, Нидерланды;
Лабунов В.А.- академик НАНБ, главный научный сотрудник, БГУ информатики и радиоэлектроники, Белоруссия;
Никитов С.А. – член-корреспондент РАН, заместитель директора ИРЭ РАН;
Резнёв А.А. – д.т.н., профессор, директор НИИ ФСБ;
Сауров А.Н. – член-корреспондент РАН, директор НПК «Технологический центр» МИЭТ;
Чаплыгин Ю.А. - член-корреспондент РАН, ректор Московского государственного института электронной техники (ТУ);
Шелепин Н.А. – д.т.н., заместитель генерального директора по науке ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон".
В международной конференции приняли участие ученые, специализирующихся в следующих областях:
• Теория и моделирование нанотехнологии: самоорганизация в полупроводниковых структурах; квантовые точки и нити, наноразмерные кластеры, образование, разрушение, легирование, в том числе одноатомное; термодинамика образования кластеров и комплексов; кинетика кластеризации и преципитации в неупорядоченных полупроводниковых структурах: кинетика эпитаксиального роста пленок, квантовых нитей и точек.
• Нанотрубки и пористые материалы: структура, механические свойства, процессы роста, электронные и магнитные свойства, явления переноса, спектроскопия, люминесценция, комбинационное рассеяние света, приборы на основе квантовых проволок: сенсоры, полевые транзисторы, биосенсоры, тензодатчики, МЭМС и др.
• Наноэлектроника: принципы конструирования нанообъектов, одноэлектронные приборы, приборы с квантовыми ямами, однофотонные приборы, особенности диагностики и контроля качества; влияние процессов разупорядочения.
• Наносенсоры: новые материалы для наносенсоров, фуллерены и сенсоры на них, среды с упорядоченными наноразмерными включениями, датчики давления, вибрации и ускорений.
• Микроэлектромеханические системы и наноустройства; перемещения, движения, перекачки жидкости, позиционирования.
• Биотехнологии, медицина и здравоохранение: биочипы, молекулярные кластеры, сенсоры для биоструктур; применение наноразмерных объектов в медицине, здравоохранении и других областях науки и техники.
• Радиационные материалы: радиационное дефектообразование, изменение свойств материалов под воздействием излучений, кластеризация, дислокации, изменение механических и электрических свойств полупроводников и полупроводниковых структур.
На утреннем заседании были представлены следующие доклады:
- Углеродные нанотрубки для МЭМС и НЭМС (Лабунов В.А.,
Басаев А.С, к.ф.-м.н., зам. директора НПК «Технологический центр» МИЭТ)
-
Полевые эмиссионные катоды на основе структурированных в форме меандра массивов вертикально ориентированных углеродных нанотрубок
(Лабунов В.А., академик НАНБ, главный научный сотрудник, БГУ информатики и
радиоэлектроники)
-
О платформах МЭМС и НЭМС (Вернер В.Д, д.ф.-м.н., профессор, председатель НТС НПК
«Технологический центр» МИЭТ)
- Materials and Equipment for Micro and Nano Electromechanical Systems Manufacturing Technology
(Кузнецов В.И., д.т.н., директор науки и развития ASM, Нидерланды)
-
Возможности технологии абразивно-экструзионной обработки труднодоступных поверхностей деталей СВЧ-устройств
(Назаров Н.Г., ОАО "ИМЦ Концерна "Вега")
-
Резка КНС лазерным управляемым термораскалыванием (ЛУТ) (Минаев В.В., ОАО
"Ангстрем")
- Наноинженерия - воплощение нанотехнологии в реальной продукции (Герасименко Н.Н.,
профессор, начальник лаборатории «Радиационные методы, технологии и анализ» МИЭТ)
-
К истории создания первых отечественных ультратонкослойных транзисторов (нанотранзисторов)
(Луканов Н.М., д.т.н., ведущий научный сотрудник НПК «Технологический центр»
МИЭТ)
-
К вопросу о чувствительности многослойного тонкопленочного магниторезистивного датчика
(Максимов Е.М., д.т.н, зам. директора НИИ)
-
Устройство гетеродинного приёма на основе ПДХ для измерения магнитной индукции
(Мордкович В.Н., заведующий лабораторией, Институт проблем технологии
микроэлектроники и особо чистых материалов РАН)
Во второй половине дня в рамках конференции проводилось заседание секции для молодежи, на котором также выступили победители конкурса молодых учёных НАНОФОРУМА 2008 г. и 2009 г.:
- Использование CVD метода для создания функциональных элементов МЭМС/НЭМС на основе углеродных структур
(Павлов А.А., НПК «Технологический центр» МИЭТ)
-
Измерение локальных свойств пьезоэлектрических пленок состава ЦТС толщиной менее 100 нм.
(Силибин М.В., МИЭТ)
-
Исследование анизотропности трения упоров внутритрубного микроробота (Чащухин В.Г.,
Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского РАН)
-
SPICE-модель приёмной антенны акустической микросистемы (Фёдоров Р.А. Поломошнов С.А.,
НПК «Технологический центр» МИЭТ)
-
Распределенные параметры в модели микросистем с тонкими мембранами (Сайкин Д.А. Поломошнов С.А.,
НПК «Технологический центр» МИЭТ)
-
Расчет характеристик тензорезистивного преобразователя ускорения на основе четырех упругих элементов
(Гаврилов Р.О.
Сайкин Д.А., НПК «Технологический центр» МИЭТ)
-
Расчет параметров МЭМС-акселерометра , изготовленного с использованием КНИ-пластин
(Федоров Р.А.
Сайкин Д.А., НПК «Технологический центр» МИЭТ)
По решению Оргкомитета конференции наиболее интересные и подготовленные доклады в виде статей печатаются в данном номере журнала «Нано- и микросистемная техника»
По поручению Оргкомитета конференции д.т.н., профессор П. Мальцев