Методики
Перечень имеющихся методов и методик исследований Центра коллективного пользования «Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники»
| № п/п | Метод, методика | Наименование организации аттестовавшей методику |
| 1 | ГАВЛ.60202.00006. Методика контроля электрических статических параметров микросхем в составе кремниевых пластин для определения функционирования на установке НР-82000 (США) с зондовой установкой и камерой тепла – холода для измерений в крайних значениях температур (-80;+120) | НПК «Технологический центр» |
| 2 | ГАВЛ.60202.00007. Методика контроля электрических параметров тестовых элементов микросхем на измерительном стенде AIK-TEST (Венгрия) | НПК «Технологический центр» |
| 3 | ГАВЛ.60202.00081. Методика контроля электрофизических параметров МДП-структур на основе измерения высокочастотных (ВЧ) вольт-фарадных характеристик (ВФХ) с помощью ртутного зонда (Параметры: напряжение плоских зон, ёмкость плоских зон, ёмкость диэлектрика, пороговое напряжение, эффективный заряд в диэлектрике, термополевая стабильность) | НПК «Технологический центр» |
| 4 | ГАВЛ.4081109001 ПМ Методика выполнения измерений линейных размеров топологии поверхности пленочных и объемных микромеханических элементов тестовых структур МЭМС и НЭМС | ОАО «НИЦПВ» |
| 5 | ГАВЛ.4081109002 ПМ Методика выполнения измерений амплитудно-частотных характеристик микромеханических элементов в составе тестовых структур МЭМС и НЭМС | ФГУП «ВНИИМС» |
| 6 | ГАВЛ.60202.00024 Методика контроля функционирования и измерения электрических статических параметров микросхем в корпусном исполнении при нормальных климатических условиях с использованием установки НР-82000 (США) с программируемой рабочей станцией НР-700i (США) | НПК «Технологический центр» |
| 7 | ГАВЛ.60207.00001;5:17 Методика испытания микросхем на воздействие повышенной и пониженной температуры среды (термоциклирование) | НПК «Технологический центр» |
| 8 | ГАВЛ.60207.00003 Методика испытания микросхем на воздействие линейного ускорения до 30000 g. | НПК «Технологический центр» |
| 9 | ГАВЛ.60207.00002 Методика испытания микросхем при повышенной температуре (электротермотренировка) для выявления потенциально ненадежных микросхем. | НПК «Технологический центр» |
| 10 | ГАВЛ4081109.003ПМ Методика выполнения полуавтоматических измерений параметров топографии поверхности методами атомно-силовой микроскопии | НПК «Технологический центр» |
| 11 | ГАВЛ4081109.004ПМ Методика выполнения измерений параметров поверхности средствами сканирующей туннельной микроскопии | НПК «Технологический центр» |
| 12 | ГАВЛ4081109.005ПМ Методика исследования электрохимических свойств поверхности средствами сканирующей зондовой микроскопии | НПК «Технологический центр» |
| 13 | ГАВЛ4081109.006ПМ Методика исследования электрофизических свойств поверхности средствами сканирующей зондовой микроскопии | НПК «Технологический центр» |
| 14 | «ГАВЛ.60207.00012 Испытание микросхем на воздействие повышенной влажности воздуха (длительное и ускоренное)» | НПК «Технологический центр» |
| 15 | ГАВЛ.60202.00134 Измерение характеристик пленок c помощью автоматической эллипсометрической измерительной системы SENDURO | НПК «Технологический центр» |
| 16 | ГАВЛ.60202.00135 Контроль параметров полупроводниковых пластин с помощью ИК Фурье-спектрометра | НПК «Технологический центр» |
| 17 | «ГАВЛ.410109.010ПМ Методика измерений коэрцитивной силы магниторезистивных наноструктур» | ФГУП "ВНИИМС" |
| 18 | «ГАВЛ.410109.011ПМ Методика измерений магниторезистивного эффекта тонкопленочных наноструктур» | ФГУП "ВНИИМС" |
| 19 | «ГАВЛ .410109.012ПМ Методика измерений магнитострикции магниторезистивных наноструктур» | ФГУП "ВНИИМС" |
| 20 | «ГАВЛ.410109.013ПМ Методика измерений поверхностного сопротивления тонкопленочных магниторезистивных наноструктур» | ФГУП "ВНИИМС" |
| 21 | «ГАВЛ.410109.014ПМ Методика измерений поля магнитной анизотропии тонкопленочных магниторезистивных наноструктур» | ФГУП "ВНИИМС" |
| 22 | ГАВЛ.60207.00018 Испытание микросхем на воздействие одиночных ударов | НПК «Технологический центр» |
| 23 | ГАВЛ.60202.00042 КЭП и ФК микросхем БМК при крайних значениях температур (НР82000-D50) | НПК «Технологический центр» |
| 24 | ГАВЛ.60202.00108 Контроль элементов тестовой полосы на пластине (АИК-ТЕСТ) | НПК «Технологический центр» |
