banner2
  • Главная
  • О нас
  • Исследования и разработки
  • Производственная база
  • Образовательная деятельность
  • Продукция
  • Закупки
  • Контакты
  • История
  • Руководство учреждения
  • Государственный научный центр Российской Федерации
  • Патенты
  • Публикации
  • Противодействие коррупции
  • Выставочная деятельность
  • Конференции и семинары
  • Фотогалерея
  • Новости
  • Вакансии
  • Документы организации
  • Контакты
  • Сообщество в VK
На главную
О нас
Публикации

Interstitial diffusion under conditions of trapping of interstitial impurity atoms

Interstitial diffusion under conditions of trapping of interstitial impurity atoms


24.09.2010

2010. Materials Science in Semiconductor Processing. Vol. 13, Issue 1. P. 13-20
Авторы: Velichko O.I.,Shaman Yu.P.


Копирайты


© 1998-2025 НПК “Технологический центр”
О предприятии
  • История
  • Руководство учреждения
  • Противодействие
    коррупции
Адрес
124498, г. Москва,
г. Зеленоград, пл. Шокина,
д. 1, стр. 7, комн. 7237
E-mail: tc@tcen.ru
Телефон: +7 (499) 734-45-21
Посещаемость
Яндекс.Метрика