Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM

07.04.2014

Компания Samsung начала массовый выпуск самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., лидер в технологии изготовления ЗУ, объявила о начале массового производства самой быстрой и энергоэффективной 4 Гб DRAM для использования в широком диапазоне применений. Компания использовала самые малые проектные нормы 20 нм, применяемые в производстве DRAM; формирование топологического рисунка осуществлялось с использованием иммерсионной ArF литографии и метода двойной литографии. Разработанная технология литографии, по заявлению компании, является основой технологии следующего поколения 10 нм  DRAM. Наличие в ячейке памяти DRAM конденсатора значительно усложняет масштабирование прибора в сравнении с другими типами схем памяти. Для изготовления конденсаторов применялось атомно-слоевое осаждение ультратонких слоев диэлектрика с беспрецедентным уровнем однородности толщины, что обеспечивало высокие характеристики ячейки памяти. Новая 20- нм технология  изготовления DRAM позволила также на 30%  увеличить производительность производства кристаллов в сравнении с предыдущим поколением 25- нм DRAM и более чем вдвое в сравнении с 30- нм DRAM. Кроме того, новая технология обеспечивала снижение на 25% потребляемой DRAM мощности относительно предыдущего поколения с проектными нормами 25 нм. По заявлению вице-президента компании по продажам схем памяти и маркетингу, «новая энергоэффективная 20-нм DRAM позволит компании Samsung значительно расширить свою рыночную базу, включая быстро развивающийся компьтерный рынок и рынок мобильных устройств». По результатам исследования рынка от Gartner, мировой рынок DRAM вырастет с $ 35,6 млрд. долларов США в 2013 году до $ 37,9 млрд. долларов США в 2014 году.

http://electronicsmaker.com/4-gb-ddr3-nanometer-process-technology