Новости

Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов


19.02.2014


Новый рекорд быстродействия SiGe транзисторов.

В результате сотрудничества исследователей Германии (Innovations for High Performance Microelectronics – IHP) и США (Georgia Institute of Technology) разработан самый быстродействующий на сегодняшний день SiGe транзистор с максимальной частотой Fmax 798 ГГц – на 200 ГГц выше опубликованных ранее значений. Информация об исследовании была опубликована в феврале 2014 года в журнале IEEE Electron Device Letters.
Хотя указанный результат получен при температуре 4,3оК, исследователи заявили, что рекордные результаты при комнатной температуре будут опубликованы в ближайшее время. Использование подобных приборов позволит обеспечить значительный прогресс в высокоскоростной беспроводной и проводной передаче данных, в устройствах обработки сигналов, передачи изображений, считывания данных с помощью сенсорных устройств  и радарной технике. Разработанный прибор  изготовлен по технологии гетеропереходных  SiGe БиКМОП транзисторов с минимальным топологическим размером 0,13 мкм. Напряжение пробоя транзистора 1,7 В, которое достаточно для большинства предполагаемых применений. В сравнении с транзисторами на полупроводниковых соединениях А3В5 SiGe БиКМОП приборы сохраняют преимущества современной технологии КМОП ИС.  В сравнении с КМОП технологией SiGe БиКМОП технология характеризуется меньшими затратами на производство, обеспечивая высокое быстродействие при значительно меньших требованиях к фотолитографии.

http://phys.org/news/2014-02-silicon-germanium-chip.htm